Grupo de investigación

Grupo de Investigación en Nanoelectrónica (TIC 216)

Sobre mí

Después del doctorado en física y unos primeros contratos pos-doctorales en los que me dediqué al estudio de física estadística y redes complejas, a través de modelos analíticos y simulaciones numéricas, en 2005 me incorporé al Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores de la Universidad de Granada y centré mi investigación en el estudio y simulación de dispositivos electrónicos semiconductores. En concreto el tema principal ha sido el transporte de portadores en transistores MOSFET de silicio (tanto tradicionales como basados en tecnología de silcio sobre aislante, SOI) o en materiales bidimensionales como MoS2, empleando distintas herramientas desde simuladores TCAD hasta herramientas atomísticas y desarrollando códigos de simulación Monte Carlo que incluyen efectos cuánticos. Entre los aspectos abordados se pueden destacar los siguientes. – El efecto de la estructura de bandas sobre la distribución y movilidad de portadores de carga: para esto se han utilizado distintos modelos, desde masa efectiva con correcciones no-parabólicas, modelos de tipo k·p, hasta métodos atomísticos basados en DFT. – Los mecanismos de dispersión en láminas de inversión, desarrollando modelos cuánticos para dispositivos SOI planares y multipuertas con estructuras complejas, como por ejemplo, múltiples capas de óxidos distintos. Los mecanismos estudiados han sido la rugosidad superficial, el efecto de cargas en distintas regiones del dispositivo y el efecto de los distintos materiales sobre los fonones (fonones confinados). – El transporte de portadores en presencia de un campo magnético para comparar la movilidad deducida de medidas de magnetorresistencia con la movilidad de bajo campo. – El desarrollo de simuladores Monte Carlo Multi-Subbanda que recogen los efectos de confinamiento cuántico en dirección ortogonal al transporte, en una dimensión para dispositivos planos y en dos dimensiones para dispositivos tridimensionales. Dichos simuladores se han empleado para estudiar las propiedades de escalado de los transistores y el efecto de distintos mecanismos de pérdida. – Simulación de celdas de memoria DRAM de un solo transistor: A2RAM y Z2FET. – Estudio mediante DFT de materiales 2D, con especial énfasis en molibdenita (MoS2): análisis de los efectos sobre la estructura de bandas de la presión o de un campo eléctrico perpendicular y modelado de la distribución de cargas en estructuras multi-capa.

Líneas de investigación

Simulación y modelado de semiconductores

Resultados destacables

Conseguir modelos para describir el funcionamiento de transistores a escalas nanométricas

Vocación

Me empujó la fascinación por la física y por entender cómo funciona la naturaleza y tuve la suerte de que poder convertir esto en mi profesión

Deseo científico

Contribuir al desarrollo de tecnologías más eficientes y sostenibles